湖北深紫科技有限公司開放多年AlN外延技術積累成果,推出基于Sapphire或SiC的高質量AlN/AlGaN單層及多層全結構外延片,旨在助力深紫外相關科研及產業(yè)化。
基于平面藍寶石(FSS)、納米圖形化藍寶石(NPSS)或SiC…
在不同襯底上,生長厚度50~5000nm的高質量的AlN或AlGaN單層/多層結構
尤其擅長AlN或高Al組分AlGaN基模板或全結構外延定制,最佳Al組分≥0.4
可定制生長紫外探測器、LED、HEMT等AlGaN基器件全結構半導體材料
長期開展AlN/AlGaN基光電器件研發(fā),擁有一支高素質外延團隊,材料定制化生長經驗豐富
得益于長達十年的高溫MOCVD外延生長經驗,尤其擅長AlN及Al組分高于0.4的AlGaN的外延生長及n型摻雜
2英寸,XRC (002/102) ≤ 80/400 arcsec,厚度均勻性(5%),AFM RMS(<1nm),厚度1~3um可調
基于高質量AlN模板的原位生長AlxGa1-xN模板,Al組分0.4~1可調,n型摻雜激活濃度≥3e18 cm-3
產品型號 | 產品類別 | 產品圖片 | 晶體質量 (002) | 晶體質量 (102) | 外延層厚度 | 表面粗糙度 | 邊緣扣除 | 規(guī)格書 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
WAlN-SA400 | Sapphire/AlN外延片/模板 | ![]() |
≤ 80 arcsec | ≤ 400 arcsec | 2~3 μm | ≤ 1 nm | ≤ 3 mm |
![]() |
WAlN-NS400 | NPSS/AlN外延片/模板 | ![]() |
≤ 200 arcsec | ≤ 200 arcsec | ≥ 5 μm | ≤ 1 nm | ≤ 3 mm |
![]() |
WAlN-SC001 | SiC/AlN外延片/模板 | ![]() |
50~5000 nm |
![]() |
||||
WAGN-AN001 | AlGaN外延片/模板 | ![]() |
≤ 300 arcsec | ≤ 500 arcsec | 1~2 μm | ≤ 2 nm | ≤ 3 mm |
![]() |
基于高質量的AlN和AlGaN材料生長技術,深紫科技科提供定制化的紫外探測器、LED及HEMT外延生長服務
專業(yè)的PIN、APD、量子阱等結構的AlGaN基紫外探測器全結構研發(fā)、批量生產。多年的紫外探測器定制化服務經驗,服務國內外多家著名研究單位、企業(yè),標準交期一個月,提供批量的芯片代工服務
面向科研用途的UVC-LED上游外延片資源,支持科研單位將商用的UVC-LED外延片用于Nano/Micro-LED的前沿探索研究。2英寸,波長270~280 nm,3030芯片120 mA下8~12 mW,扎測電壓10V
高度定制化的HEMT外延研發(fā)、中試服務商,根據客戶結構定制生長。典型方阻275 Ω/□,二維電子氣1.2e13 cm-3,遷移率1900 cm2/Vs
我司外延團隊生長的全結構材料在制作成器件后,已經進入民用生活、工業(yè)應用、空間探測方方面面