2018年12月9日から12日まで、The International Workshop on UV Materials and Devices（第三回國際紫外材料とデバイス會議、IWUMD-2018）は昆明で開催され、フランス、米國、日本、ドイツ、韓國など世界各國から千人の研究者が參加します。會社の董事長兼首席科學(xué)者の陳長清博士は招請を受けて大會組織委員會の委員を務(wù)め、そして特別テーマの報告を行う。深紫外LED業(yè)界では、コアエピタキシャル、チップ、パッケージ全産業(yè)チェーン技術(shù)を持つ數(shù)少ない會社として、湖北深紫科技有限公司（DUVTek）は先進的な深紫外LED技術(shù)で「芯」から健康生活を定義し、大會で革新技術(shù)を共有し、紫外線材料とデバイス分野で先端研究を行っている學(xué)者たちと交流を検討しました。

今回のIWUM D-2018會議では、陳長清博士の報告書は「High Performance Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Based on Thick AlN Epilayer and Moth-ey Microsoft ture」と題しています。會社の最新の研究の進展を紹介しました。平面サファイア基板（FSS）上のAlN材料のエピ成長、ナノグラフィックスサファイア基板（NPSS）上のAlN材料のエピ成長、蛾目の微細構(gòu)造が深紫LEDの光抽出効率を高めるなど、各研究成果と各パラメータ性能は國際先進水準(zhǔn)に達しました。を選択します。會議中、陳長清博士は北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、臺灣國立交通大學(xué)、日本東京大學(xué)、韓國ソウル大學(xué)、イギリスシェフィールド大學(xué)、米國北カロライナ大學(xué)など國內(nèi)外の大學(xué)と科學(xué)研究所からの青年研究者と友好的な學(xué)術(shù)交流を行い、幅広く研究を交換しました。展示會は、深紫外線LED業(yè)界の発展を促進する。