2018年6月21日，阿卜杜拉國王科技大學(xué)李曉航教授受邀到訪我司，進(jìn)行第三代半導(dǎo)體學(xué)術(shù)交流指導(dǎo)，并作了“寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理、器件、設(shè)備”相關(guān)報(bào)告。

李曉航教授在公司領(lǐng)導(dǎo)的陪同下先后參觀了公司展廳、超凈間平臺等各個研發(fā)生產(chǎn)辦公區(qū)。公司良好的工作環(huán)境、有序的生產(chǎn)流程、嚴(yán)格的質(zhì)量控制、和諧的工作氛圍給李曉航教授留下了深刻得印象。期待雙方加強(qiáng)互動，在未來擬合作項(xiàng)目中實(shí)現(xiàn)深度合作、互補(bǔ)雙贏、共同發(fā)展！

參觀結(jié)束后，李曉航教授分享了深紫外激光、新型B-III-N材料、極化場工具箱三個方面的內(nèi)容。李曉航教授采用TMA的預(yù)處理技術(shù)控制AlN極性，實(shí)現(xiàn)低位錯密度、高生長速率，高生長效率的AlN template生長，并制備了低閾值的光泵浦深紫外激光器。成功制備了含B 14%的BAlN合金，與AlN，GaN，SiC和Ga2O3晶格匹配更好。通過極化場工具箱計(jì)算尋找在C面襯底上長的異質(zhì)結(jié)無極化作用的臨界點(diǎn)，來減弱器件中量子限制斯塔克效應(yīng)，并給大家展示了BAlN材料在深紫外LED以及電子器件HEMT的應(yīng)用以及作用。

李曉航教授正在進(jìn)行學(xué)術(shù)分享

李曉航博士是阿卜杜拉國王科技大學(xué) (KAUST)先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室的PI兼博士生導(dǎo)師，是該校2017-2018年被提名為杰出教學(xué)獎的教授之一，在美國佐治亞理工學(xué)院獲得電子工程博士學(xué)位，是半導(dǎo)體深紫外激光研究的先驅(qū)者之一。李曉航博士多次承擔(dān)美國能源部、美國國防高級研究計(jì)劃局、美國自然科學(xué)基金、中國自然科學(xué)基金和海灣阿拉伯國家合作委員會等研究項(xiàng)目。在全球首次實(shí)現(xiàn)在藍(lán)寶石上波長短于260納米激光和低閾值深紫外激光，首次實(shí)現(xiàn)在同一襯底上TE和TM半導(dǎo)體激光，首次實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體深紫外表面受激輻射。在B-III-N等新型第三代半導(dǎo)體研究做出了世界領(lǐng)先和開創(chuàng)性的成果，在第三代半導(dǎo)體高水平雜志和會議上發(fā)表了120余篇論文，被引用1200余次（h指數(shù)16），在國際會議大學(xué)研究所和公司做受邀報(bào)告30余次。曾榮獲SPIE協(xié)會年度最高獎、IEEE Photonics Society協(xié)會博士生年度最高獎、佐治亞理工學(xué)院研究生最高獎等諸多榮譽(yù)。

李曉航教授（左四）與我司相關(guān)員工，華中科技大學(xué)研究人員合影