7月3日、深圳で開催された「2020専門家Point?深紫外LEDフォーラム及び新製品発表會(huì)及び『UV LED産業(yè)発展白書』の成果発表」で、湖北深紫は高性能チップのテーマ講演を共有しました。梁仁瓅博士によると、現(xiàn)在の深紫外LEDはエピタキシャル、チップ、パッケージに挑戦があるが、エピタキシャルに比べて最も難しく、主な成長(zhǎng)プロセスと成長(zhǎng)デバイスである。したがって、高エピタキシャル品質(zhì)材料、高光抽出効率構(gòu)造、高信頼性の紫外LEDデバイスをどのように調(diào)製するかは、業(yè)界の発展を制限するボトルネックとなる。

それでは、エピタキシャルチップの技術(shù)において、湖北の深紫にはどのような獨(dú)自の技術(shù)的なハイライトがありますか？

1、高品質(zhì)窒化アルミニウム基板製造プロセス

深紫エピタクシーの成長(zhǎng)に対して、図形化サファイア基板プロセスを採(cǎi)用しています。このプロセスは平面サファイア基板を自分で設(shè)計(jì)して作成したもので、準(zhǔn)備プロセスはまずPECVDを用いて200 nmのSiO2マスクを堆積し、続いて順次リソグラフィー、ICPエッチングと濕式エッチングを行います。

以上の基板に基づいて，低溫AlN核形成，パルス原子層堆積，高溫AlN連続成長(zhǎng)の三段階法を用いてAlN材料のMOCVDエピタキシャル成長(zhǎng)を行った。得られたAlN薄膜の表面は滑らかで亀裂がなく，高性能デバイスに良い基礎(chǔ)を作った。

ソース：2020専門家POINT深紫外フォーラムと新品発表會(huì)-湖北深紫スピーチPPT

2、電子減速器を持つ深紫LED材料の成長(zhǎng)プロセス

AlGaN材料に基づく電子移動(dòng)度は正孔移動(dòng)度より大きく，電子放出をもたらす。電子と正孔の移動(dòng)能力を均衡させるために、湖北深紫はAlGaN拡張層の前に超格子電子減速器構(gòu)造を追加し、電子のオーバーフローを抑制することを目的としている。

湖北深紫は均質(zhì)Al成分の構(gòu)造を設(shè)計(jì)しており、一つはAl成分の減少した構(gòu)造であり、一つはAl成分の上昇した構(gòu)造であり、三つの構(gòu)造が素子性能に及ぼす影響を研究している。

研究結(jié)果は，4つの試料の結(jié)晶品質(zhì)が同じで，素子性能に及ぼす結(jié)晶品質(zhì)の影響を排除する量子井戸と超格子電子減速器の構(gòu)造界面が急峻であることを示した。

3、高効率の光取り深紫外LEDデバイスの設(shè)計(jì)とプロセス—ステルス切斷プロセス

湖北深紫に使用される基板プロセスは等価粗化領(lǐng)域において、多レーザステルス技術(shù)を用いて十分に粗い基板側(cè)壁を形成し、TMモード紫外光のサファイア側(cè)壁での全反射を緩和し、光抽出効率を向上させる。この切斷プロセスにおいて、100 mAの下で、粗化四刀は一刀に比べ、光出力は19.62%向上したという。

來源：2020年専門家POINT深紫外フォーラムと新品発表會(huì)-湖北深紫スピーチPPT

また、マイクロレンズアレイの設(shè)計(jì)及びプロセスにおいて、蛾眼ナノ薄膜で覆われ、深い紫外LEDを26.7%の光出力電力に高めることができます。

技術(shù)の光點(diǎn)を分かち合う以外に、湖北の深紫はまた1項(xiàng)の深紫LEDチップを発表しました。

梁仁瓅博士は大會(huì)で湖北深紫の12220 ml深紫外LEDチップを展示しました。これらの技術(shù)を総合して実現(xiàn)した主流規(guī)格のチップです。このチップは3.7-6を?qū)g現(xiàn)できます。2 mW@40 mAを選択します9-15 mW@100 mAの272 nmピーク波長(zhǎng)の深い紫外出力でWPEは2.41%に達(dá)した。

來源：2020年専門家POINT深紫外フォーラムと新品発表會(huì)-湖北深紫スピーチPPT

梁仁瓅博士は講演の中で、次は湖北深紫はもっと短い波長(zhǎng)と大きなパワー（高光効）の方向に力を出し続け、よりコストパフォーマンスの高い深紫LEDチップを提供すると明らかにしました。