隨著深紫外LED殺菌市場的逐步打開，深紫外LED在全球也得到越來越廣泛的關(guān)注。

2016年8月16日，2014年諾貝爾物理學(xué)獎獲得者、美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校工程學(xué)院教授中村修二（Shuji Nakamura）教授在深紫科技有限公司董事長陳長清博士、武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院副總經(jīng)理張杰及武漢未來科技城建設(shè)管理辦公室曹博士等陪同下，蒞臨我司參觀交流。中村修二教授作為半導(dǎo)體LED最權(quán)威的專家，此行在我司針對半導(dǎo)體深紫外LED進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)交流并提供指導(dǎo)。此次交流學(xué)習(xí)過程中主要圍繞深紫外LED難點(diǎn)、特性、應(yīng)用領(lǐng)域、深紫外LED發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行了深入交流，為我司深紫外LED前沿技術(shù)研究以及市場應(yīng)用提供了思路和方向。

在參觀、交流的過程中，我司總裁戴江南博士對深紫外外延片生長、芯片、模組封裝、光源系統(tǒng)作了全面介紹，并對深紫外LED的應(yīng)用、市場規(guī)模和市場核心技術(shù)作了詳細(xì)描述。中村修二教授非常認(rèn)可我司的深紫外LED研究方向，并提出了一定的意見和建議，同時(shí)非?？春梦磥砩钭贤釲ED的行業(yè)應(yīng)用。

陳長清博士（深紫科技有限公司董事長、首席科學(xué)家）與中村修二教授就深紫外外延片生長進(jìn)行交流。

公司總裁戴江南博士向中村修二教授介紹我司深紫外LED光源

附：中村修二簡介

中村修二，電子工程學(xué)家，1954年5月22日出生于日本。

1989年，中村教授開始研究基于三族氮材料的藍(lán)光LED。由于在藍(lán)光LED方面的杰出成就，中村教授獲得包括仁科紀(jì)念獎、英國頂級科學(xué)獎等一系列榮譽(yù)。2000年，中村教授加入加州大學(xué)圣芭芭拉分校。2014年中村教授和赤崎勇、天野浩因發(fā)明“高效藍(lán)色發(fā)光二極管”而獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎。